Toshiba Luncurkan Modul MOSFET SiC 3.300 V dengan Kemampuan Menahan Arus Lonjakan Tinggi


Toshiba: IX800FXF2YMS4, modul MOSFET SiC ganda 3300V, 800A dengan kemampuan I²t sebesar 300kA²s untuk peralatan industri. (ANTARA/Business Wire)

yang Membantu Meningkatkan Keandalan Peralatan Industri

Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah memperluas jajaran produknya dengan meluncurkan “IX800FXF2YMS4,” sebuah modul MOSFET SiC ganda untuk peralatan industri, termasuk kendaraan kereta api, sistem pembangkit listrik energi terbarukan, dan sistem konversi daya. Modul baru ini dilengkapi chip MOSFET silikon karbida (SiC) generasi ketiga buatan Toshiba, dengan voltase drain-source sebesar 3.300 V dan arus drain (DC) sebesar 800 A. Spesifikasinya mencantumkan nilai batas I2t di bagian diode, yang merupakan indikator kemampuan menahan arus lonjakan.

Produsen peralatan industri, termasuk inverter dan konverter traksi kereta api, sistem pembangkit listrik energi terbarukan, serta peralatan kontrol motor industri, harus senantiasa memenuhi tuntutan yang semakin tinggi terkait efisiensi yang lebih tinggi, ukuran yang lebih kecil, dan keandalan yang lebih baik. Dalam sistem tersebut, arus lonjakan besar yang dapat mengalir melalui modul semikonduktor daya dalam kondisi tidak normal harus diatasi dengan kemampuan menahan arus lonjakan yang memadai.

IX800FXF2YMS4 memiliki desain chip SiC yang dioptimalkan dan menghasilkan karakteristik I2t sebesar 300kA2 det[1], yang merupakan indikator kemampuan menahan arus lonjakan di bagian diode dalam kondisi abnormal..

Modul ini memiliki voltase saat menyala drain-source (sense) (VDS(on)sense ) sebesar 1,4V (tip.)[2] , yang membantu mengurangi kerugian konduksi. Kerugian switching saat dihidupkan (Eon ) sebesar 185mJ (tip.)[3] dan kerugian switching saat dimatikan (Eoff ) sebesar 175mJ (tip.)[3] membantu mengurangi kerugian switching. Karakteristik ini berkontribusi pada peningkatan keandalan dan efisiensi peralatan, serta memungkinkan penggunaan sistem pendingin yang lebih ringkas.

Produk baru ini menggunakan paket iXPLV™[4], yang memiliki kompatibilitas pemasangan yang sangat baik. Produk ini menggunakan teknologi pengikatan sintering perak guna meningkatkan ketahanan panas dan keandalan bagian yang direkatkan dengan chip SiC, sehingga mampu mencapai batas suhu channel 175°C yang diperlukan untuk peralatan industri.

Penambahan baru dalam jajaran produk Toshiba ini menjadikan jumlah modul MOSFET SiC dalam paket iXPLV™ menjadi empat macam, sehingga memperluas pilihan produk yang tersedia.

Toshiba akan terus memperluas jajaran modul MOSFET SiC untuk peralatan industri dan menyediakan pilihan produk yang lebih beragam yang sesuai dengan berbagai spesifikasi dan aplikasi peralatan. Perusahaan ini juga akan berkontribusi dalam mewujudkan peralatan industri yang lebih andal, efisien, dan ringkas.

Catatan:
 [1] Kondisi uji: Tch(initial) =175°C, VGS =-6V, setengah gelombang sinus 10 mdet 1 pulsa, F.R.=1%
 [2] Kondisi uji: ID =800A, VGS =+20V, Tch =25°C
 [3] Kondisi uji: VDD =1800V, ID =800A, VGS =+20V/-6V, Cgs =100nF, RG(on) =1,2Ω, RG(off) =1,2Ω, Tch =175°C, LS ≃70nH
 [4] iXPLVTM : Singkatan dari intelligent fleXible Package Low Voltage

Aplikasi

Peralatan industri

  • Inverter dan konverter traksi kereta api
  • Sistem pembangkit listrik tenaga energi terbarukan
  • Sistem konversi daya (Solid-State Transformer (SST)[5]; Uninterruptible Power Supply (UPS); Energy Storage System (ESS), dsb.)
  • Peralatan kontrol motor industri, dsb.

Catatan:
[5] SST: Transformator generasi terbaru yang memanfaatkan semikonduktor daya untuk menghasilkan ukuran yang ringkas, konversi voltase yang sangat efisien, dan kontrol daya yang canggih.

Fitur

  • Menentukan nilai batas (Diode) I2t: I2t=300kA2 det
  • Voltase saat menyala drain-source yang rendah (sense): VDS(on)sense =1,4V (tip.)
  • Kerugian switching rendah: Eon =185mJ (tip.), Eoff =175mJ (tip.)
  • Nilai suhu channel: Tch =175°C
  • Menggunakan paket iXPLVTM.

Spesifikasi Utama

 (Tc =25°C, Kecuali ditentukan lain)

Nomor komponen

 IX800FXF2YMS4

Paket

Nama

 iXPLV™

Ukuran (mm)

Tip.

144×99,5×40

Peringkat
maksimum
mutlak

Voltase drain-source VDSS (V)

3300

Voltase gate-source VGSS (V)

+25/-10

Arus drain (DC) ID (A)

800

Arus drain (pulsa) IDP (A)

1600

Suhu channel Tch (°C)

175

Voltase isolasi V isol
 (Vrms)

AC, 60 det

6000

Nilai batas I2t (Diode) I2 t
 (kA2 s)

 Tch(initial) =175°C, VGS =-6V,
 setengah gelombang sinus 10 mdet 1 pulsa,
 F.R.=1%

300

Karakteristik
listrik

Voltase saat menyala drain-source (sense)
 VDS(on)sense (V)

 ID =800A, VGS =+20V,

 Tch =25°C

Tip.

1,4

Voltase saat menyala source-drain (sense)
 VSD(on)sense (V)

 IS =800A, VGS =+20V,

 Tch =25°C

Tip.

1,4

Voltase saat mati source-drain (sense)
 VSD(off)sense (V)

 IS =800A, VGS =-6V,

 Tch =25°C

Tip.

2,2

 Induktansi sisa LsPN (nH)

P terminal-N terminal

Tip.

12

Kerugian switching saat menyala

 Eon (mJ)

 VDD =1800V, ID =800A,
 VGS =+20V/-6V,
 Cgs =100nF, RG(on) =1,2Ω,
 RG(off) =1,2Ω, Tch =175°C,
 LS ≃70nH

Tip.

185

Kerugian switching saat mati

 Eoff (mJ)

Tip.

175

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru.
IX800FXF2YMS4

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang jajaran perangkat daya SiC Toshiba.
Perangkat Daya SiC

* iXPLV™ merupakan merek dagang milik Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan lainnya mungkin merupakan merek dagang masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada saat informasi ini diumumkan, tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.

17.400 karyawannya di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Perusahaan ini berharap dapat membangun dan berkontribusi terhadap masa depan yang lebih baik bagi semua orang di mana saja.

Cari tahu lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20260923706775/en

Contacts

Untuk Pertanyaan dari Pelanggan:
Departemen Penjualan dan Pemasaran Perangkat Daya dan Sinyal Kecil
Telp: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Untuk Pertanyaan dari Media:
C. Nagasawa
Departemen Komunikasi & Intelijen Pasar
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Penulis : Adityawarman