Toshiba Mulai Kirimkan Sampel Uji MOSFET SiC Trench-Gate 1200V yang Akan Tingkatkan Efisiensi
di Pusat Data AI Generasi Berikutnya
Kawasaki, Jepang --(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") hari ini mulai mengirimkan sampel uji "TW007D120E," yakni MOSFET SiC trench-gate 1200V yang terutama ditujukan untuk sistem catu daya di pusat data AI generasi berikutnya yang juga cocok digunakan untuk peralatan energi terbarukan.
Karena pesatnya perkembangan AI generatif, peningkatan konsumsi daya menjadi masalah yang mendesak bagi pusat data. Khususnya penggunaan server AI berdaya tinggi secara luas dan semakin banyaknya penerapan arsitektur Arus Searah Tegangan Tinggi (HVDC) sebesar 800V mendorong permintaan sistem catu daya dengan efisiensi konversi daya dan densitas daya yang lebih tinggi. Toshiba memenuhi kebutuhan pusat data AI generasi berikutnya dengan mengembangkan TW007D120E, yang akan menghemat konsumsi daya, sistem catu daya yang lebih kecil dan lebih hemat.
TW007D120E dibuat berdasarkan struktur trench-gate milik Toshiba[1], yang mencapai[2] On-resistance rendah per area unit (RDS(on)A ) yang terdepan di industri ini; sehingga meminimalkan kehilangan konduksi melalui On-resistance rendah sekaligus mengurangi kerugian switching. Dibandingkan produk Toshiba saat ini, TW007D120E mengurangi RDS(on) A hingga sekitar 58%[3] dan meningkatkan figure of merit, On-resistance × gate-drain charge (RDS(on) × Qgd), yang menunjukkan keseimbangan antara kehilangan konduksi dan kerugian switching sekitar 52%[3]. Karakteristik ini akan membantu mewujudkan pengoperasian yang sangat efisien dan mengurangi pembangkitan panas pada sistem catu daya pusat data, serta berkontribusi pada peningkatan efisiensi sistem secara keseluruhan.
Produk baru ini dikemas dalam paket QDPAK yang mendukung pendinginan sisi atas dan berperan pada penerapan kepadatan daya yang lebih tinggi dan peningkatan kinerja termal pada tahap daya, yang sangat penting untuk konversi daya di pusat data AI generasi berikutnya.
Toshiba akan mempersiapkan produksi massal TW007D120E selama tahun fiskal 2026 dan akan terus memperluas lini produknya, termasuk pengembangan aplikasi otomotif. Melalui MOSFET SiC trench-gate, Toshiba akan berkontribusi pada peningkatan efisiensi daya dan pengurangan emisi CO₂ di pusat data maupun berbagai peralatan industri sehingga membantu mewujudkan masyarakat bebas karbon.
TW007D120E adalah berdasarkan hasil yang diperoleh dari JPNP21029, yakni proyek yang disubsidi oleh New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).
Catatan:
[1] Struktur perangkat di mana trench halus dibentuk dalam substrat semikonduktor, dan elektroda gate tertanam dalam trench tersebut.
[2] Penelitian Toshiba pada bulan Mei 2026.
[3] Perbandingan MOSFET SiC 1200V yang baru dikembangkan dengan MOSFET SiC (TW015Z120C) generasi ke-3 dari Toshiba. Penelitian Toshiba pada bulan Mei 2026.
Penggunaan
- Catu daya untuk pusat data (AC-DC, DC-DC)
- Inverter fotovoltaik
- Uninterruptible power supply (UPS)
- Stasiun pengisian daya kendaraan listrik
- Sistem penyimpanan energi
- Motor industri
Fitur
- On-resistance rendah dan RDS(on) A rendah
- Kerugian switching rendah dan RDS(on) × Qgd rendah
- Tegangan penggerak gate rendah: VGS_ON =15V sampai 18V
- Performa termal tinggi, paket QDPAK
Spesifikasi Utama
(Kecuali disebutkan lain, Tvj =25 °C) | ||||
Nomor suku cadang | TW007D120E | |||
Paket | Nama | QDPAK | ||
Peringkat Maksimum Absolut | Tegangan drain-source VDSS (V) | 1200 | ||
Drain current (DC) ID (A) | Tc =25 °C | 172 | ||
Karakteristik listrik | Drain-source On-resistance RDS(on) (mΩ) | VGS =15V | Tip. | 7.0 |
Gate threshold voltage Vth (V) | VDS =10V | 3.0 sampai 5.0 | ||
Total gate charge Qg (nC) | VGS =15V | Tip. | 317 | |
Gate-drain charge Qgd (nC) | VGS =15V | Tip. | 33 | |
Kapasitansi input Ciss (pF) | VDS =800V | Tip. | 13972 | |
Tegangan maju dioda VSD (V) | VGS =0V | Tip. | 3,2 | |
Catatan: Spesifikasi dan jadwal untuk produk yang sedang dalam pengembangan dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan. | ||||
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.
Perangkat Daya SiC
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
17.400 karyawannya di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Perusahaan ini berharap dapat membangun dan berkontribusi terhadap masa depan yang lebih baik bagi semua orang di mana saja.
Cari tahu lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en
Contacts
Pertanyaan Pelanggan:
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami
Pertanyaan Media:
C. Nagasawa
Communications & Market Intelligence Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Penulis : Adityawarman
