Penambahan 1200V Toshiba ke Jajaran Dioda Schottky Barrier SiC Generasi Ketiga
Akan Berkontribusi pada Peralatan Listrik Industri yang Sangat Efisien
Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") menambahkan "Seri TRSxxx120Hx" dari produk 1200V ke jajaran dioda Schottky Barrier (SBD) silikon karbida (SiC) generasi ketiga untuk peralatan industri, misalnya inverter fotovoltaik, stasiun pengisian daya kendaraan listrik, dan catu daya switching. Hari ini Toshiba mulai mengirimkan sepuluh produk baru seri ini, lima dalam paket TO-247-2L dan lima dalam paket TO-247.
Seri TRSxxx120Hx baru ini adalah produk 1200V yang menggunakan struktur Junction-Barrier Schottky (JBS) yang telah disempurnakan[1] dari SBD SiC 650V generasi ketiga Toshiba. Dengan menggunakan logam baru pada junction barrier, produk baru ini dapat mencapai [2] tegangan maju rendah sebesar 1,27V (tipikal) yang terdepan di industrinya, total muatan kapasitif rendah, dan arus balik rendah. Sehingga jauh lebih mengurangi kehilangan daya pada peralatan saat menggunakan daya lebih tinggi.
Toshiba akan terus memperluas jajaran perangkat daya SiC dan berfokus pada peningkatan efisiensi yang mengurangi kehilangan daya pada peralatan listrik industri.
Catatan:
[1] Struktur JBS yang Disempurnakan: Struktur yang menggabungkan struktur Merged PiN Schottky (MPS), yang mengurangi tegangan maju pada arus tinggi, ke dalam struktur JBS, yang menurunkan medan listrik pada antarmuka Schottky dan mengurangi kebocoran arus.
[2] Di antara SBD SiC 1200V. Per September 2024, survei Toshiba.
Penggunaan
• Inverter fotovoltaik
• Stasiun pengisian daya kendaraan listrik
• Catu daya switching untuk peralatan industri, UPS
Fitur
• SBD SiC 1200 V generasi ketiga
• Tegangan maju rendah yang terdepan di industri ini: VF＝1,27V (tip.) (IF=IF(DC))
• Total muatan kapasitif rendah: QC=109nC (tip.) (VR=800V, f=1MHz) untuk TRS20H120H
• Arus balik rendah: IR＝2.0μA (tip.) (VR=1200V) untuk TRS20H120H
Spesifikasi Utama | |||||||||
| (Kecuali disebutkan lain, Ta =25°C) | ||||||||
Nomor Suku Cadang | Paket | Peringkat maksimum absolut | Karakteristik listrik | Pemeriksaan & Ketersediaan Sampel | |||||
Tegangan balik puncak berulang VRRM (V) | Arus DC maju IF(DC) (A) | Arus lonjakan maju puncak tak berulang IFSM (A) | Tegangan maju (pengukuran pulse) VF (V) | Arus balik (pengukuran pulse) IR (μA) | Total muatan kapasitif QC (nC) | ||||
| Kondisi suhu Tc (°C) | f=50Hz (gelombang setengah sinus, t=10md), Tc=25°C | IF=IF(DC) | VR=1200V | VR=800V, f=1MHz | ||||
Tip. | Tip. | Tip. | |||||||
TO-247-2L | 1200 | 10 | 160 | 80 | 1,27 | 1,0 | 61 | ||
15 | 157 | 110 | 1,4 | 89 | |||||
20 | 155 | 140 | 2,0 | 109 | |||||
30 | 150 | 210 | 2,8 | 162 | |||||
40 | 147 | 270 | 3,6 | 220 | |||||
TO-247 | 5 (Per leg) 10 (Kedualeg) | 160 | 40 (Per leg) 80 (Kedualeg) | 1.27 (Per leg) | 0.5 (Per leg) | 30 (Per leg) | |||
7,5 (Per leg) 15 (Kedualeg) | 157 | 55 (Per leg) 110 (Kedualeg) | 0.7 (Per leg) | 43 (Per leg) | |||||
10 (Per leg) 20 (Kedualeg) | 155 | 70 (Per leg) 140 (Kedualeg) | 1.0 (Per leg) | 57 (Per leg) | |||||
15 (Per leg) 30 (Kedualeg) | 150 | 105 (Per leg) 210 (Kedualeg) | 1.4 (Per leg) | 80 (Per leg) | |||||
20 (Per leg) 40 (Kedualeg) | 147 | 135 (Per leg) 270 (Kedualeg) | 1.8 (Per leg) | 108 (Per leg) | |||||
Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru ini.
Ikuti tautan di bawah ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang SiC SBD Toshiba.
Dioda Schottky Barrier (SBD) SiC generasi ke-3
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.
Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB
TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, LSI sistem dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
19.400 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.
Ketahui lebih jauh di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/54126329/en
Kontak
Pertanyaan Pelanggan:
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2216
Pertanyaan Media:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Penulis : Adityawarman
