Transistor Dwikutub Gerbang Terisolasi Diskrit Baru dari Toshiba Tingkatkan Efisiensi Pendingin Udara


 

Kawasaki, Jepang (ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah meluncurkan Transistor Dwikutub Gerbang Terisolasi (Insulated Gate Bipolar Transistor/IGBT) diskrit 650V “GT30J65MRB” untuk sirkuit koreksi faktor daya (PFC)[1] pada AC dan catu daya besar untuk peralatan industri. Pengiriman volume dimulai hari ini.

Semikonduktor daya telah diakui sebagai perangkat penting dalam upaya hemat energi, termasuk ke arah netralitas karbon. Dalam peralatan industri dan peralatan rumah tangga yang banyak mengonsumsi listrik, permintaan akan perangkat switching yang sangat efisien kian meningkat karena makin banyak yang menggunakan inverter pada AC dan perlu mengurangi konsumsi daya pada catu daya berskala besar untuk peralatan industri. Akibatnya, kian banyak permintaan akan perangkat switching low-loss dan frekuensi switching lebih tinggi di sirkuit PFC.

Toshiba menghadirkan proses terbaru pada IGBT baru. Struktur trench yang optimal memungkinkan switching loss rendah (turn-off switching loss)[2] (yang terdepan di industri ini, yaitu sebesar 0,35mJ (typ.)[3], sekitar 42%[4] lebih rendah dibanding produk lama Toshiba, GT50JR22. IGBT baru ini juga memiliki dioda bawaan dengan tegangan maju sebesar 1,20 V (typ.)[5], sekitar 43%[5] lebih rendah lebih rendah dibanding GT50JR22. Peningkatan ini semakin memperbesar efisiensi peralatan.

Untuk sirkuit PFC pendingin udara, produk lama Toshiba, GT50JR22, digunakan dengan frekuensi pengoperasian di bawah 40kHz[6]. GT30J65MRB adalah IGBT pertama Toshiba untuk PFC pada penggunaan di bawah 60kHz[6], yang dicapai dengan mengurangi switching loss (turn-off switching loss) untuk memungkinkan pengoperasian frekuensi lebih tinggi.

Toshiba akan terus memperluas jajaran produknya guna memenuhi tren pasar dan meningkatkan efisiensi peralatan.

Catatan:
[1] Sirkuit Koreksi Faktor Daya (Power Factor Correction/PFC): Sirkuit yang mengurangi perbedaan fase antara tegangan dan arus untuk membawa faktor daya mendekati satu, untuk menekan komponen harmonik yang dihasilkan dalam mengalihkan catu daya.
[2] Survei Toshiba, per Maret 2023.
[3] Kondisi pengujian: Beban induktif, VCE=400V, IC=15A, VGE=15V, RG=56Ω, Tc=175 °C
[4] Per Maret 2023, nilai diukur oleh Toshiba (kondisi pengujian: VCC=400V, IC=15A, VGG=+15V/0, RG=56Ω, Tc=175 °C).
[5] Kondisi pengujian: IF=15A, VGE=0V, Tc=25 °C
[6] Per Maret 2023, nilai diukur oleh Toshiba dengan menggunakan papan evaluasi PFC-nya.

 

Penggunaan

  • Peralatan rumah tangga (AC, dan lain-lain)

  • Peralatan industri (peralatan otomatisasi pabrik, printer multi fungsi, dan lain-lain)

 

Fitur

  • Switching loss rendah (turn-off switching loss) [2] terdepan dalam industri: Eoff=0,35mJ[3] (typ.) yang direalisasikan dengan proses terbaru

  • Dioda freewheeling (FWD) bawaan dengan struktur konduksi terbalik (RC)

  • Waktu switching yang cepat (fall time): tf=40ns (typ.) (Tc=25 °C, IC=15A, RG=56Ω)

  • Tegangan maju dioda rendah: VF=1,20 V (typ.) (Tc=25°C, IF=15A, VGE=0V)

 

Spesifikasi Utama

(Ta=25 °C, kecuali dinyatakan lain)

Nomor komponen

GT30J65MRB

Kemasan

TO-3P(N)

Peringkat

maksimum

absolut

Tegangan kolektor-emitor V  CES  (V)

650

Arus kolektor (DC) IC (A)

Tc=25 °C

60

Tc=100 °C

30

Suhu junction  T  j  (°C)

175

Tegangan saturasi kolektor-emitor

VCE(sat) typ. (V)

IC=30A, VGE=15V, Tc=25 °C

1,40

Switching time (fall time) tf typ. (ns)

Beban induktif,

VCE=400V, IC=15A,

VGE=15V, RG=56Ω, Tc=25 °C

40

Switching loss (turn-off switching loss)

Eoff typ. (mJ)

Beban induktif,

VCE=400V, IC=15A,

VGE=15V, RG=56Ω, Tc=175 °C

0,35

Tegangan maju dioda VF typ. (V)

IF=15A, VGE=0V, Tc=25 °C

1,20

Resistansi termal junction-to-case  R ke- (j-c)  maks (°C/W)

0,75

Pemeriksaan & Ketersediaan Sampel

Beli Online

 

Ikuti tautan di bawah ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang produk baru ini.
GT30J65MRB

Ikuti tautan di bawah ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang IGBT Toshiba.
IGBT

Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
GT30J65MRB
Beli Online

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.

* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

 

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
23.000 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Dengan penjualan tahunan saat ini mencapai lebih dari 850 miliar yen (AS$7,5 miliar), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.
Ketahui lebih jauh di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/53357547/en

Kontak

Pertanyaan Pelanggan:
Departemen Penjualan & Pemasaran Perangkat Daya.
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
Chiaki Nagasawa
Departemen Pemasaran Digital
Toshiba Electronic Devices  Storage Corporation
E-Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation


Penulis : Adityawarman