Kioxia Perkenalkan Perangkat Flash Memory Tertanam QLC UFS 4.1 Untuk Penyimpanan Seluler Kapasitas Tinggi


Perangkat Flash Memory Tertanam QLC UFS 4.1 (ANTARA/Business Wire)

Teknologi BiCS FLASH™ Generasi Ke-8 Meningkatkan Kinerja dan Efisiensi

 

Tokyo--(ANTARA/Business Wire)-- Kioxia Corporation adalah perusahaan terdepan di dunia dalam hal solusi memori. Hari ini Kioxia mengumumkan telah mulai membagikan sampel perangkat memori tertanam Universal Flash Storage1 (UFS) Ver. 4.1 baru dengan teknologi Quadruple-Level Cell (QLC) 4-bit per sel. Dirancang untuk penggunaan dengan beban baca tinggi dan kebutuhan penyimpanan kapasitas besar, perangkat baru ini didukung oleh teknologi flash memory 3D BiCS FLASHTM Generasi ke-8 dari Kioxia.

QLC UFS menawarkan kepadatan bit lebih tinggi dibanding TLC UFS tradisional sehingga cocok untuk aplikasi seluler yang membutuhkan kapasitas penyimpanan lebih besar. Berkat kemajuan teknologi pengontrol dan koreksi kesalahan, teknologi QLC dapat mencapai hal ini sekaligus mempertahankan kinerja kompetitif.

Berdasarkan kemajuan ini, perangkat baru Kioxia mencapai peningkatan kinerja yang signifikan2. QLC UFS Kioxia meningkatkan kecepatan tulis berurutan hingga 25%, kecepatan baca acak hingga 90%, dan kecepatan tulis acak hingga 95% dibandingkan generasi sebelumnya (UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS)3. Write Amplification Factor (WAF) juga ditingkatkan hingga maksimal 3,5 kali (WriteBooster dinonaktifkan).

Sangat cocok untuk smartphone dan tablet, Kioxia QLC UFS juga mendukung beberapa kategori produk baru yang membutuhkan kapasitas dan kinerja lebih tinggi, termasuk komputer pribadi, jaringan, AR/VR, IoT, dan perangkat yang didukung AI.

Tersedia dalam kapasitas 512 gigabyte (GB) dan 1 terabyte (TB), perangkat UFS 4.1 baru ini menggabungkan flash memory 3D BiCS FLASH™ canggih dari Kioxia dan alat pengontrol terintegrasi dalam paket standar JEDEC. Flash memory 3D BiCS FLASH™ generasi ke-8 dari Kioxia memperkenalkan teknologi CMOS directly Bonded to Array (CBA), sebuah inovasi arsitektur yang merupakan lompatan besar dalam desain flash memory.

Fitur-fitur utama:

  • Mematuhi spesifikasi UFS 4.1. UFS 4.1 kompatibel dengan UFS 4.0 dan UFS 3.1 lama.
  • Flash memory 3D Kioxia BiCS FLASH™ generasi ke-8
  • Dukungan WriteBooster untuk kecepatan penulisan yang signifikan
  • Kemasan lebih kecil dibandingkan QLC UFS sebelumnya: 11×13 mm menjadi 9×13 mm

Tautan Terkait:
Halaman Produk UFS 4.1 Kioxia

Catatan:

(1)

Universal Flash Storage (UFS) adalah kategori produk untuk kelas produk memori tertanam yang dibuat sesuai spesifikasi standar JEDEC UFS. Karena antarmuka serialnya, UFS mendukung full duplexing yang memungkinkan pembacaan dan penulisan secara bersamaan antara prosesor host dan perangkat UFS.

(2)

Berdasarkan pengujian internal Kioxia

(3)

Produk 512GB, saat WriteBooster diaktifkan

- Setiap kali produk Kioxia disebutkan: Kepadatan produk diidentifikasi berdasarkan kepadatan chip memori dalam Produk, bukan jumlah kapasitas memori yang tersedia untuk penyimpanan data oleh pengguna akhir. Kapasitas yang dapat digunakan konsumen lebih sedikit karena area data overhead, pemformatan, blok buruk, dan berbagai kendala lain, serta bervariasi tergantung pada perangkat host dan aplikasi. Untuk rincian informasi, harap lihat spesifikasi produk yang berlaku. Definisi 1KB = 2^10 byte = 1.024 byte. Definisi 1GB = 2^30 bit = 1.073.741.824 bit. Definisi 1GB = 2^30 byte = 1.073.741.824 byte. 1TB = 2^40 bit = 1.099.511.627.776 bit.

- 1 Gbps dihitung sebagai 1.000.000.000 bit/detik. Kecepatan baca dan tulis adalah nilai terbaik yang diperoleh di lingkungan pengujian tertentu di Kioxia. Kioxia tidak menjamin kecepatan baca dan tulis pada masing-masing perangkat. Kecepatan baca dan tulis bervariasi tergantung pada perangkat yang digunakan dan ukuran file yang dibaca atau ditulis.

- Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang milik perusahaan pihak ketiga.

Tentang Kioxia
Kioxia adalah perusahaan terkemuka di dunia di bidang solusi memori, khusus untuk pengembangan, produksi, penjualan flash memory dan Solid-State Drive (SSD). Perusahaan pendahulunya, Toshiba Memory, dipisahkan dari Toshiba Corporation pada bulan April 2017. Toshiba Corporation adalah perusahaan penemu flash memory NAND pada tahun 1987. Kioxia berkomitmen untuk mengangkat dunia dengan "memori" melalui penawaran produk, layanan, dan sistem yang memberikan pilihan bagi pelanggan dan nilai berdasarkan memori bagi masyarakat. Teknologi flash memory 3D Kioxia yang inovatif, BiCS FLASH™, membentuk masa depan penyimpanan dalam aplikasi berkepadatan tinggi, termasuk smartphone canggih, komputer pribadi, sistem otomotif, pusat data dan sistem AI generatif.

*Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah benar pada tanggal diumumkan, namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20260127840829/en

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Contacts

Pertanyaan Media:
Kioxia Corporation
Promotion Management Division
Satoshi Shindo
Tel: +81-3-6478-2404

Sumber: Kioxia Corporation


Penulis : Adityawarman